IGBT/SiC MOSFET專(zhuān)用第三代驅(qū)動(dòng)電源——QA_(T)-R3G系列
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2023-11-23
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一、產(chǎn)品介紹
基于國(guó)內(nèi)外新能源行業(yè)發(fā)展態(tài)勢(shì)，半導(dǎo)體應(yīng)用市場(chǎng)持續(xù)擴(kuò)大；對(duì)于新能源充電樁、光伏SVG行業(yè)，IGBT/SiC MOSFET的應(yīng)用廣泛，而驅(qū)動(dòng)電源作為專(zhuān)為IGBT/SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)器提供驅(qū)動(dòng)能力的來(lái)源，市場(chǎng)潛力巨大。
金升陽(yáng)致力于為客戶(hù)提供更優(yōu)質(zhì)的電源解決方案，基于自主電路平臺(tái)、IC平臺(tái)、工藝平臺(tái)，升級(jí)推出IGBT/SiC MOSFET專(zhuān)用第三代驅(qū)動(dòng)電源QA-R3G/QAC-R3G系列產(chǎn)品，同時(shí)為結(jié)合充電樁市場(chǎng)應(yīng)用需求，打造了全新的滿(mǎn)足元器件100%國(guó)產(chǎn)化、高可靠的R3代驅(qū)動(dòng)電源產(chǎn)品。
二、產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)
1、優(yōu)勢(shì)特點(diǎn)
①高可靠隔離電壓：5000VAC（加強(qiáng)絕緣）
R3代驅(qū)動(dòng)電源產(chǎn)品基于自主IC設(shè)計(jì)平臺(tái)，在可靠性上相較于R1代和競(jìng)品有了極大的提升，隔離電壓高達(dá)5000VAC（R1產(chǎn)品/競(jìng)品為3750VAC），滿(mǎn)足加強(qiáng)絕緣設(shè)計(jì)要求，整體可靠性得到極大提升。
②滿(mǎn)足1700VDC長(zhǎng)期絕緣要求
作為現(xiàn)階段主流的半導(dǎo)體器件，應(yīng)用電壓為650V/900V/1200V/1700V；R3代驅(qū)動(dòng)電源基于IEC-61800-5-1標(biāo)準(zhǔn)要求，實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)期絕緣電壓（持續(xù)放電）滿(mǎn)足1700V，應(yīng)用范圍覆蓋1700V及以下的IGBT器件。
③元器件100%國(guó)產(chǎn)化，多項(xiàng)性能指標(biāo)提升
R3代驅(qū)動(dòng)電源相較于R1代產(chǎn)品，在整體性能上得到了很大提升。
● 效率提升：80%→86%
● 紋波下降：75mVpp→50mVpp
● 強(qiáng)帶載能力：220uF→2200uF
● 靜電性能提升：±6kV→±8kV
2、優(yōu)勢(shì)對(duì)比
表1 QA-R3G系列性能對(duì)比表
三、產(chǎn)品應(yīng)用
作為IGBT/SiC MOSFET的專(zhuān)業(yè)驅(qū)動(dòng)電源，該系列產(chǎn)品在應(yīng)用上基本覆蓋相對(duì)應(yīng)的行業(yè)，包含充電樁、光伏等領(lǐng)域。
QA_(T)-R3G系列應(yīng)用電路圖
四、產(chǎn)品特點(diǎn)
1、QA-R3G系列
● 超小型SIP封裝
● CMTI>200kV/μs
● 局部放電1700V
● 隔離電壓5000VAC（加強(qiáng)絕緣）
● 最大容性負(fù)載2200μF
● 超小隔離電容3.5pF(typ.)
● 工作溫度范圍：-40℃ to +105℃
● 可持續(xù)短路保護(hù)
2、QA_T-R3G系列
● CMTI>200kV/μs
● 局部放電1700V
● 隔離電壓5000VAC（加強(qiáng)絕緣）
● 最大容性負(fù)載2200μF
● 超小隔離電容2.5pF(typ.)
● 工作溫度范圍：-40℃ to +105℃
● SMD封裝
● 效率高達(dá)86%
● 可持續(xù)短路保護(hù)
五、產(chǎn)品選型
表2 QA-R3G系列選型表
表3 QA_T-R3G系列選型表
